特許

J-GLOBAL ID：200903086039435583

p型化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いたバイポーラトランジスタ、並びにそれらの製造方法

発明者： 柳原 学 ,  田村 彰良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045836
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083896
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 n型オーミック電極と同じ熱処理条件で形成できる、低接触抵抗率を備えたp型オーミック電極を提供する。【構成】 p型GaAs層2上にニッケル膜(厚さ:5nm)14、チタン膜(5nm)15、白金膜(5nm)16、チタン膜(30nm)17、白金膜(100nm)18を連続して堆積する。その後、400°Cで10分程度熱処理することにより、p型オーミック電極4がp型GaAs層2上に形成できる。

請求項（抜粋）：

p型III-V族化合物半導体層上に設けられ、該p型III-V族化合物半導体との界面に、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、及び白金(Pt)を主成分として含む、p型化合物半導体用オーミック電極。

IPC (6件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• オーミツク電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257086   出願人：日本電信電話株式会社
• オーミック電極及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160101   出願人：ソニー株式会社
• ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295886   出願人：日本電信電話株式会社