特許

J-GLOBAL ID：200903022527135485

量子井戸構造光変調器

発明者： 松井 康浩 ,  沓沢 聡子 ,  荒平 慎
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221663
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 量子井戸構造の吸収層を具える光変調器において、吸収端のブロードニングと、フォトキャリアのパイルアップとを、同時に抑制する。【解決手段】 井戸層としてのInGaAsP層および障壁層としてのInGaAlAs層が交互に積層した量子井戸層を吸収層として具えている。この量子井戸層の価電子帯のエネルギ構造は、軽い正孔に対する障壁の高さをΔE<SB>L</SB> とし、重い正孔に対する障壁の高さをΔE<SB>H</SB> としたときに、ΔE<SB>L</SB> <ΔE<SB>H</SB> となっている。また、軽い正孔に対する井戸の底のエネルギ準位をE<SB>1</SB> とし、重い正孔に対する井戸の底のエネルギ準位をE<SB>2</SB> とし、重い正孔に対する障壁のエネルギ準位をE<SB>3</SB> としたときに、E<SB>3</SB> <E<SB>1</SB> <E<SB>2</SB> となっている。そして、ΔE<SB>L</SB> をゼロとしてある。

請求項（抜粋）：

井戸層および障壁層が交互に積層した半導体多重量子井戸層を具える電界吸収型光変調器において、軽い正孔に対する障壁の高さをΔE<SB>L</SB> とし、重い正孔に対する障壁の高さをΔE<SB>H</SB> としたときに、ΔE<SB>L</SB> <ΔE<SB>H</SB> となることを特徴とする量子井戸構造光変調器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子吸収光学変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216309   出願人：ノーザン・テレコム・リミテッド
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038841   出願人：沖電気工業株式会社