特許

J-GLOBAL ID：200903022532093529

半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液

発明者： 原 宣宏 ,  鈴木 哲雄 ,  高田 悟 ,  井上 秀敏
出願人/特許権者： コウベ プレシジョン インク ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138192
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 使用済みの半導体ウエハ基板を再生する際に、該ウエハ基板の厚さ減少量を最小限に抑えて再生回数を通常の2倍以上に増大することのできる再生法を提供すること。【解決手段】 金属膜と絶縁膜を含む表面被膜層を有する半導体ウエハ基板を再生する方法で、下記工程を含むところに特徴を有している。1)化学エッチング剤を使用し、前記ウエハ基板材自体を実質的に溶解しない様に前記金属膜の全てと絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学エッチング工程、2)化学エッチングに引き続き、残留する絶縁膜および基板材表面の変質層を除去する化学機械研磨工程、および3)上記化学機械研磨工程に引き続き、前記基板の少なくとも一方の面を仕上げ研磨する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ基板の再生法。

請求項（抜粋）：

金属膜と絶縁膜を含む表面被膜層を有する半導体ウエハ基板を再生する方法であって、下記工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ基板の再生法。1)化学エッチング剤を使用し、前記ウエハ基板材自体を実質的に溶解しない様に前記金属膜の全てと絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学エッチング工程、2)化学エッチングに引き続き、残留する絶縁膜および基板材表面の変質層を除去する化学機械研磨工程、および3)上記化学機械研磨工程に引き続き、前記基板の少なくとも一方の面を仕上げ研磨する工程。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/306 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041904   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭53-142168
  

審査官引用 (2件)

• ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041904   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭53-142168