特許
J-GLOBAL ID：200903022538168865
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156331
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】窒化物半導体を利用した発光素子に関わり、特に発光効率を高めより高輝度に発光可能な窒化物半導体発光素子を提供するものである。【解決手段】少なくともGaを含む窒化物半導体が基板上にp型及びn型に積層された有する発光素子である。特に、窒化物半導体層は同一成膜基板上で電気的に複数分離してなり、それぞれの窒化物半導体層が導電性ワイヤで電気的に接続されている窒化物半導体発光素子である。
請求項（抜粋）：
基板上にp型及びn型に積層された少なくともGaを含む窒化物半導体を有する発光素子であって、前記p型及びn型に積層された少なくともGaを含む窒化物半導体層は同一成膜基板上で電気的に複数分離してなり、それぞれ分離された個々の窒化物半導体層の電極を導電性ワイヤで電気的に直列及び/又は並列に接続されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB25
, 5F041DA07
