半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097079
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304053
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】高誘電率を有した金属酸化物からなるゲート絶縁膜が、半導体製造工程中の熱処理で結晶化しゲート絶縁膜の特性に不均一を生じる。【解決手段】Hf,Zr,Ta,Ti,Y,La,Prのいずれかを含む金属酸化物に少なくともAl,Siを混合して積層したゲート絶縁膜を有する半導体装置であって、金属酸化物の含有モル分率が高いため誘電率が高くなる第一の誘電体材料と金属酸化物の含有モル分率が小さいため結晶核の生成を抑制できる第二の誘電体材料からなる誘電体層を適宜積層し、かつ基板側およびゲート電極側に第一の誘電体材料を配置した誘電体層を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Ta(タンタル)、Ti(チタン)、Y(イットリウム)、La(ランタン)、Pr(プラセオジム)のいずれかを含む金属酸化物にAl(アルミニウム)、Si(シリコン)のうち少なくとも一方を混合物として含んで組成を異ならせた第一、第二、第三の誘電体層を互いに積層したゲート絶縁膜を有する半導体装置であって、前記第二の誘電体層中に含まれる前記混合物のモル分率が前記第一の誘電体層、前記第三の誘電体層のいずれよりも大きくなるように構成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 M

Fターム (40件)：

5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD16 , 5F058BF02 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AB09 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BG08 , 5F140BG45 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04 , 5F140DB01 , 5F140DB04 , 5F140DB08

引用特許：

審査官引用 (1件)

多層誘電体スタックおよびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-020773 出願人：シャープ株式会社

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