特許
J-GLOBAL ID：200903046482153009
多層誘電体スタックおよびその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267566
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタおよび集積回路構造に用いることができる高誘電体材料および挿入材料の交互の層を有する多層誘電体スタックを提供すること。【解決手段】 多層誘電体スタックを含むICのための集積回路(IC)構造は、a)第1の誘電体材料を含み、半導体基板を覆う第1の誘電体層と、b)第2の誘電体材料を含み、第1の誘電体層を覆う第2の誘電体層と、c)第1の誘電体材料を含み、第1および第2の誘電体層を覆う第3の誘電体層と、d)誘電体スタックを覆う電極とを含む。
請求項（抜粋）：
a)ゲート電極と、b)該ゲート電極の下に上面を有するチャネル領域と、c)第1の誘電体材料を含む第1の誘電体層、第2の誘電体材料を含む第2の誘電体層、および該第1の誘電体材料を含む第3の誘電体層を含み、該ゲート電極と該チャネル領域の上面との間に挿入させたゲート誘電体スタックと、を含むMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 444 A
