特許
J-GLOBAL ID:200903022565234403

ジベンゾジシラアゼピン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子、並びにジベンゾジシラアゾシン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 久米 道之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-063248
公開番号(公開出願番号):特開2005-248092
出願日: 2004年03月05日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】 薄膜等への成形を容易かつ低廉に行うことが可能であり、化学的安定性に優れ、電子素子や蛍光材料の原料とすることが可能で、蛍光強度が大きいジベンゾジシラアゼピン系重合体、ジベンゾジシラアゾシン系重合体等を提供すること。【解決手段】 窒素雰囲気下で2,8-ジブロモ-5,10,10,11,11-ペンタメチル-10,11-ジヒドロジベンゾジシラアゼピンまたは3,9-ジブロモ-5,7-ジシラ-6-オキサ-5,5,7,7,12-ペンタメチル-5,6,7,12-テトラヒドロジベンゾ[b,g]アゾシンとビス(トリメチルスタニル)チオフェンとをトルエンに溶解させる。そして、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)を加えた後、90°Cに昇温して48時間攪拌する。生成した反応液をメタノールに注ぎ、得られた粉末をろ過する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表されるジベンゾジシラアゼピン系重合体。
IPC (3件):
C08G61/12 ,  C07F7/10 ,  H05B33/14
FI (4件):
C08G61/12 ,  C07F7/10 S ,  C07F7/10 X ,  H05B33/14 A
Fターム (22件):
3K007AB11 ,  3K007AB14 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ61 ,  4H049VQ76 ,  4H049VQ78 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VW02 ,  4J032BA12 ,  4J032BA18 ,  4J032BB01 ,  4J032BB04 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03 ,  4J032BC13 ,  4J032BD05 ,  4J032CG03
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
審査官引用 (1件)

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