特許
J-GLOBAL ID:200903022565234403
ジベンゾジシラアゼピン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子、並びにジベンゾジシラアゾシン系重合体、その製造方法、それを利用した蛍光材料及びそれを利用した電子素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
久米 道之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-063248
公開番号(公開出願番号):特開2005-248092
出願日: 2004年03月05日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】 薄膜等への成形を容易かつ低廉に行うことが可能であり、化学的安定性に優れ、電子素子や蛍光材料の原料とすることが可能で、蛍光強度が大きいジベンゾジシラアゼピン系重合体、ジベンゾジシラアゾシン系重合体等を提供すること。【解決手段】 窒素雰囲気下で2,8-ジブロモ-5,10,10,11,11-ペンタメチル-10,11-ジヒドロジベンゾジシラアゼピンまたは3,9-ジブロモ-5,7-ジシラ-6-オキサ-5,5,7,7,12-ペンタメチル-5,6,7,12-テトラヒドロジベンゾ[b,g]アゾシンとビス(トリメチルスタニル)チオフェンとをトルエンに溶解させる。そして、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)を加えた後、90°Cに昇温して48時間攪拌する。生成した反応液をメタノールに注ぎ、得られた粉末をろ過する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表されるジベンゾジシラアゼピン系重合体。
IPC (3件):
C08G61/12
, C07F7/10
, H05B33/14
FI (4件):
C08G61/12
, C07F7/10 S
, C07F7/10 X
, H05B33/14 A
Fターム (22件):
3K007AB11
, 3K007AB14
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4H049VN01
, 4H049VP02
, 4H049VQ61
, 4H049VQ76
, 4H049VQ78
, 4H049VR23
, 4H049VR41
, 4H049VW02
, 4J032BA12
, 4J032BA18
, 4J032BB01
, 4J032BB04
, 4J032BB09
, 4J032BC03
, 4J032BC13
, 4J032BD05
, 4J032CG03
引用特許:
引用文献:
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