特許

J-GLOBAL ID：200903022572996602

トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者： 水崎 真伸 ,  山原 基裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369218
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298067
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 導電性高分子を用いたトランジスタの特性および/または信頼性を改善すること、およびそのようなトランジスタを用いた表示装置を提供する。【解決手段】 第1電極3と、第2電極4と、第1電極と第2電極との間に設けられた半導体層6と、半導体層に電界を印加するための第3電極2とを備え、半導体層は、導電性を有するゲスト高分子がホスト分子に包接された高分子包接錯体を含む。

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備え、前記有機層は高分子包接錯体を含む、トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 51/00

FI (3件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28

Fターム (48件)：

2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092KA09 ,  2H092KA10 ,  2H092KA11 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA01 ,  2H092MA02 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-76378号公報
  
• 特開平4-133351号公報
  
• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264313   出願人：三菱電機株式会社
• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-241078   出願人：松下電器産業株式会社