特許

J-GLOBAL ID：200903022573955918

エレクトロマイグレ-ション抵抗力を有する微細構造及びその製造方法

発明者： サイプレイン・イー・ウゾー ,  スチーブン・エイチ・ベッチャー ,  パトリック・ダブリュー・デハバァン ,  クリストファー・シー・パークス ,  アンドリュー・エイチ・シモン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292470
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174025
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション抵抗力のある銅膜構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】その膜構造は、高濃度の不純物含有量を含み、グレーンの成長に対して抵抗力があり、優れた冶金的、電気、及び熱力特性がある。この製造方法は、エレクトロマイグレーション抵抗力を有する電気メッキされた銅膜を形成する方法であって、(a)少なくとも間接的に基板上に、露出した表面を有するシード層を与えるステップと、(b)前記基板をメッキ溶液の中に浸すステップと、(c)第1の表面を有する銅含有膜を前記シード層の露出表面に電着するステップと、(d)前記基板を前記メッキ溶液中に浸した状態に維持するステップと、(e)前記メッキ溶液において、更に銅含有膜を前記第1の表面上に電着するステップと、(f)前記メッキ溶液から前記基板を除去するステップと、(g)前記基板を乾燥させるステップとを備える。

請求項（抜粋）：

エレクトロマイグレーション抵抗力を有する電気メッキされた銅膜を形成する方法であって、(a)少なくとも間接的に基板上に、露出した表面を有するシード層を与えるステップと、(b)前記基板をメッキ溶液の中に浸すステップと、(c)第1の表面を有する銅含有膜を前記シード層の露出表面に電着するステップと、(d)前記基板を前記メッキ溶液中に浸した状態に維持するステップと、(e)前記メッキ溶液において、更に銅含有膜を前記第1の表面上に電着するステップと、(f)前記メッキ溶液から前記基板を除去するステップと、(g)前記基板を乾燥させるステップとを備える銅膜を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C25D 7/00 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  C25D 7/00 J ,  H01L 21/288 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 銅めっき方法及び銅めっき液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-214780   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 半導体ウエハー配線電解メッキ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269337   出願人：株式会社荏原製作所