特許
J-GLOBAL ID：200903022585507155
研磨方法及びそれを用いた研磨装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248746
公開番号（公開出願番号）：特開平10-076464
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 化学的機械的研磨で半導体デバイスの表面の平坦化を図る際、研磨終了点を適切に判断し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。【解決手段】 基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面上の所定位置を検出する位置検出工程、該所定位置の膜厚の絶対値を測定する第1測定工程、該第1測定工程で得られた測定値を用いて該所定位置の周囲の膜層の膜厚情報を測定する第2測定工程、該第1,第2測定工程で得られたデータより該膜層の膜厚分布を求める膜厚分布測定工程、該膜厚分布測定工程で得られたデータより研磨を続行するか否かを制御する制御工程とを含むこと。
請求項（抜粋）：
基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面上の所定位置を検出する位置検出工程、該所定位置の膜厚の絶対値を測定する第1測定工程、該第1測定工程で得られた測定値を用いて該所定位置の周囲の膜層の膜厚情報を測定する第2測定工程、該第1,第2測定工程で得られたデータより該膜層の膜厚分布を求める膜厚分布測定工程、該膜厚分布測定工程で得られたデータより研磨を続行するか否かを制御する制御工程とを含むことを特徴とする研磨方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B24B 49/12
, G01B 11/06 G
