半導体集積回路およびそれを用いた画像表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346736
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151697
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】異なる特性を有する複数の薄膜トランジスタによって構成され、しかも安価な半導体集積回路と、それを用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】基板上に、非晶質シリコン薄膜をレーザ照射して形成した多結晶シリコン薄膜27と、レーザ照射しないで形成した多結晶シリコン薄膜28とを設け、レーザ照射されてなる多結晶シリコン薄膜27の結晶成長方向に、ソース領域とドレイン領域との最短距離を結ぶ直線が一致するように薄膜トランジスタ29a,29a・・・を形成する。レーザ照射されなくて結晶粒界が比較的大きい多結晶シリコン薄膜28には、配置方向を考慮することなく薄膜トランジスタ62,62・・・を形成する。キャリア領域の電子移動度が大きい薄膜トランジスタ29aでデータ信号線駆動回路を構成し、キャリア領域の電子移動度が小さくてリーク電流が少ない薄膜トランジスタ62で画素のスイッチを構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを有する半導体集積回路において、上記複数の薄膜トランジスタは、複数の異なる結晶化方法によって作製された複数の半導体薄膜領域に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/08 331

FI (8件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 Z

Fターム (47件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092MA28 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 5F048AA08 , 5F048AA09 , 5F048AB03 , 5F048AC04 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BG05 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA08 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052FA02 , 5F052FA06 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP23 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-075622 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-346714 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体デバイスのレーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-124172 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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