特許

J-GLOBAL ID：200903022598890128

MIMキャパシタおよびその製造方法

発明者： 中田 英文
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184946
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】GaAs基板などの化合物半導体基板上に小型で容量の大きいMIMキャパシタを提供することを目的としている。【解決手段】下側電極と上側電極との間に誘電体層を挟んだ構造のMIMキャパシタにおいて、前記下側電極は複数の金属層を積み重ねて形成し、前記下側電極の最上層の金属層の表面または全体が酸化されて絶縁化した酸化金属層となっていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下側電極と上側電極との間に誘電体層を挟んだ構造のMIMキャパシタにおいて、前記下側電極は複数の金属層を積み重ねて形成し、前記下側電極の最上層の金属層の表面または全体が酸化されて絶縁化した酸化金属層となっていることを特徴とするMIMキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/08

FI (3件)：

H01G 4/08 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

Fターム (17件)：

5E082AB01 ,  5E082BB02 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG22 ,  5E082FG42 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体積層膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-310107   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-203261