半導体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260321
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125133
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】光閉じ込め性に優れ、その結果光出力等に優れた半導体レーザ装置を提供する。【構成】基板上に形成された第1のクラッド層、光ガイド層、活性層及び第2のクラッド層からなる光閉じ込め領域並びに該光閉じ込め領域の両側面に設けられた埋め込み層を有し、第1のクラッド層及び光ガイド層が基板と同一の一方の導電型であり、かつ、第2のクラッド層が他方の導電型である半導体レーザー装置において、第1のクラッド層の屈折率をn1、光ガイド層の屈折率をn2、活性層の屈折率をn3、第2のクラッド層の屈折率をn4また埋め込み層の屈折率をn5とした場合、下記関係式(1)、(2)及び(3)を有することを特徴とする半導体レーザー装置。n3>n1、n3>n4 ...(1)n3>n2>n1 ...(2)n1>n5 ...(3)

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1のクラッド層、光ガイド層、活性層及び第2のクラッド層からなる光閉じ込め領域並びに該光閉じ込め領域の両側面に設けられた埋め込み層を有し、第1のクラッド層及び光ガイド層が基板と同一の一方の導電型であり、かつ、第2のクラッド層が他方の導電型である半導体レーザー装置において、第1のクラッド層の屈折率をn1、光ガイド層の屈折率をn2、活性層の屈折率をn3、第2のクラッド層の屈折率をn4また埋め込み層の屈折率をn5とした場合、下記関係式(1)、(2)及び(3)を有することを特徴とする半導体レーザー装置。n3>n1、n3>n4 ...(1)n3>n2>n1 ...(2)n1>n5 ...(3)

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭59-145590
特開昭57-026487
特開平4-079285

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