特許

J-GLOBAL ID：200903022618745227

磁気記憶装置およびその製造方法

発明者： 庄子 光治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291943
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064211
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】磁気記憶装置における書き込みワード線とビット線を被覆する磁性体層を異なる高透磁率材料で形成することで、各配線の配設方向に沿った一軸磁気異方性を付与することを可能とする。【解決手段】第1配線11と、第1配線11と立体的に交差する第2配線12と、第1配線11と第2配線12との交差領域に第2配線12と電気的に接続された磁気抵抗型の記憶素子13とを備えた磁気記憶装置1において、第1配線11の両側面および記憶素子13に対向する面とは反対側の面に形成された高透磁率層からなる第1磁性体層21と、第2配線12の両側面および記憶素子13に対向する面とは反対側の面に形成された高透磁率層からなる第2磁性体層22とを備え、第1磁性体層21と第2磁性体層22とは互いに異なる高透磁率材料からなるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1配線と、 前記第1配線と立体的に交差する第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との交差領域に前記第2配線と電気的に接続された磁気抵抗型の記憶素子とを備えた磁気記憶装置において、 前記第1配線の両側面および前記記憶素子に対向する面とは反対側の面に形成された高透磁率層からなる第1磁性体層と、 前記第2配線の両側面および前記記憶素子に対向する面とは反対側の面に形成された高透磁率層からなる第2磁性体層とを備え、 前記第1磁性体層と前記第2磁性体層とは互いに異なる高透磁率材料からなる ことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (17件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR03 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036449   出願人：ソニー株式会社