特許

J-GLOBAL ID：200903048809807000

磁気メモリ装置

発明者： 鹿野 博司 ,  五十嵐 実 ,  別所 和宏 ,  山田 直美 ,  水口 徹也 ,  成沢 浩亮 ,  遠藤 敬太郎 ,  窪 真也 ,  林 和彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036449
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246566
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 記憶素子の保磁力を小さくしなくても、従来よりも小さな書き込み電流での情報記録が可能となる磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果型の記憶素子10と、その記憶素子10に近接して配された書き込み線20,30とを備え、書き込み線20,30が発生する電流磁界により記憶素子10の磁化方向を反転させるように構成された磁気メモリ装置において、書き込み線20,30を、非磁性導体21,31と、高透磁率を持つ磁性導体22,32とからなる複合構造とする。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果型の記憶素子と、当該記憶素子に近接して配された書き込み線とを備え、前記書き込み線が発生する電流磁界により前記記憶素子の磁化方向を反転させるように構成された磁気メモリ装置において、前記書き込み線は、非磁性導体と高透磁率を持つ磁性導体とからなる複合構造を有していることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (15件)：

5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049LC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気メモリおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326133   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255308   出願人：三洋電機株式会社