特許
J-GLOBAL ID：200903022618926361
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127972
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321607
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極3パターニングやイオン注入によるゲート酸化膜2の劣化を防止してゲート耐圧の向上を図る。【構成】 ポリシリコンからなるゲート電極3パターニング後、弗酸を用いたウェットエッチング処理を施し、続いて熱酸化によりゲート電極3表面を覆うように全面に熱酸化膜8を形成した後、イオン注入によりソース・ドレイン領域5を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を形成し、このゲート酸化膜上にポリシリコンあるいはアモルファスシリコンを用いた導電層を形成し、この導電層をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、次いで、上記半導体基板に弗酸を用いたウェットエッチング処理を施し、続いて上記半導体基板を熱酸化して、上記ゲート電極表面を覆って全面に熱酸化膜を形成する工程と、その後イオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 L
