半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297486
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高出力低しきい値で信頼性の高いリッジ導波型半導体レーザが、セルファラインで特性が均一に揃ったものが得られるように、制御性の良い製造方法を示す。【構成】n型GaAs基板1上に、n型AlGaAsから成る第1クラッド層2、真性のAlGaAsから成る活性層3、p型AlGaAsから成る第2クラッド層4を順次形成し、さらにこの上に電流阻止層7を両側にリッジ状に形成したp型A1xGa1-xAsから成る光ガイド層5と第3クラッド層6を形成する。リッジ頂部及び電流阻止層7の全面にコンタクト層8を設ける。このようにしてリッジ導波型半導体レーザを製作する。【効果】このように構成したリッジ導波型半導体レーザは光ガイド層5の厚さ、光ガイド層と活性層3との距離、及び電流阻止層7の組成を最適化すれば、レーザ特性はさらに高性能になるだろう。

請求項（抜粋）：

AlGaAs系のリッジ導波型半導体レーザにおいて、基板上に順次積層された、AlGaAs層からなる第1クラッド層、活性層及び第2クラッド層と、第2クラッド層上に順次積層され、かつリッジ状に形成されたAlGaAs層からなる光ガイド層と第3クラッド層とを備え、更に、発振波長よりも大きなバンドギャップを有するAlGaAs層からなる電流阻止層がリッジの両側に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-184973
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-035151 出願人：ソニー株式会社
特開平4-349679

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審査官引用 (4件)

特開平1-184973
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-035151 出願人：ソニー株式会社
特開平4-349679

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