高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266722
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155115
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基であり、0≦a<5、0≦b<5、0<a+b<5、0<c<5の範囲である。また、m、nは正数である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とするレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基であり、0≦a<5、0≦b<5、0<a+b<5、0<c<5の範囲である。また、m、nは正数である。)

IPC (5件)：

C08F212/04 , C08F220/42 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

C08F212/04 , C08F220/42 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (59件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AB10P , 4J100AM02Q , 4J100AM03Q , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA08P , 4J100BA11P , 4J100BA12P , 4J100BA16P , 4J100BA20P , 4J100BA28P , 4J100BA29P , 4J100BA30P , 4J100BA31P , 4J100BA37P , 4J100BA38P , 4J100BA51P , 4J100BA58P , 4J100BA72P , 4J100BB07P , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC22P , 4J100BC23P , 4J100BC42P , 4J100BC43P , 4J100BC44P , 4J100BC45P , 4J100BC49P , 4J100BC53P , 4J100BC60P , 4J100BC65P , 4J100BC83P , 4J100CA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155479 出願人：日本ゼオン株式会社

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