特許
J-GLOBAL ID：200903022656086830

量子ドットを備えた素子

発明者：
向井 剛輝

向井 剛輝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371061
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196065
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】量子ドットを備えた素子に関し、量子ドットのエネルギーを温度変化に影響されにくくすること。【解決手段】基板11上に形成された第1の格子定数をもつ半導体よりなる量子ドット12と、第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し且つ量子ドット12を第1の方向から覆う第1の半導体結晶層13と、第2の格子定数とは異なる第3の格子定数を有し且つ第1の方向に対して垂直な第2の方向から量子ドット12及び第1の半導体結晶層13を覆う第2の半導体結晶層14とを含む。
請求項（抜粋）：
基板の面上に形成された第1の格子定数をもつ半導体よりなる量子ドットと、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し、且つ前記量子ドットを第1の方向から覆う第1の半導体結晶層と、前記第2の格子定数とは異なる第3の格子定数を有し、且つ前記第1の方向に対して垂直な第2の方向から前記量子ドット及び前記第1の半導体結晶層を覆う第2の半導体結晶層とを有することを特徴とする量子ドットを備えた素子。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/04 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/04 ,  H01S 3/18 677
Fターム (7件)：
5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA24 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM