特許

J-GLOBAL ID：200903022657915903

少ない欠陥のための後CuCMP

発明者： ジュイ-ラン リー ,  ツェ-ヨン ヤオ ,  フレッド シー. レデカー ,  ラジーヴ バジャジュ ,  ユタオ マー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252771
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156029
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 表面の欠陥数が大幅に減少し、近接したライン間の漏洩が減少するようなCuおよびCu合金の平坦化を可能にする方法を提供する。【解決手段】 欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Cuメタライゼーションは、CMPおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。ある態様は、CMPおよび障壁層を除去し、酸化銅を除去するためにクエン酸、水酸化アンモニウムおよび脱イオン水を含む溶液を使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行い、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行うという連続的なステップを有する。

請求項（抜粋）：

銅(Cu)またはCu合金を含む表面を平坦化し、表面の欠陥を減少させる方法であって、ケミカルメカニカルポリシング(CMP)を行って、前記表面を平坦化するステップと、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行うステップと、抑制剤溶液を使用してリンスを行うステップと、溶液を使用してバフ研磨を行い、酸化銅を除去するステップと、抑制剤を使用してリンスを行うステップと、を備える方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 648 ,  B24B 37/04 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (9件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 H ,  B24B 37/04 Z ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 配線形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196198   出願人：株式会社日立製作所