実質的に透明な伝導層の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-529946
公開番号（公開出願番号）：特表2006-501604
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

場合により式(I)[式中、nは1より大きくそしてR1およびR2のぞれぞれは独立して水素または場合により置換されていてもよいC1-4アルキル基を表わすか或いは一緒になって場合により置換されていてもよいC1-4アルキレン基または場合により置換されていてもよいシクロアルキレン基、好ましくはエチレン基、場合によりアルキル-置換されていてもよいメチレン基、場合によりC1-12アルキル-もしくはフェニル-置換されていてもよいエチレン基、1,3-プロピレン基もしくは1,2-シクロヘキシレン基を表わす]により示される構造単位を含有してもよい真性伝導性重合体を例えば含有する真性伝導性重合体およびその中に不均一に分布した伝導性金属を含んでなりそしてそれ自体で伝導体を形成する支持体上の実質的に透明な伝導層;透明な伝導層の製造方法;並びに上記の伝導層を含んでなる発光ダイオード、光電池装置、トランジスターおよびエレクトロルミネセント装置。

請求項（抜粋）：

支持体上の実質的に透明な伝導層であって、該層が真性伝導性重合体およびその中に不均一に分布した伝導性金属を含んでなりそしてそれ自体で伝導体を形成する伝導層。

IPC (11件)：

H01B 5/14 , B32B 27/00 , H01B 13/00 , H01M 14/00 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/28 , H01L 31/04 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (11件)：

H01B5/14 A , B32B27/00 A , H01B13/00 503B , H01M14/00 P , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/28 , H01L31/04 Z , H01L29/28 , H01L29/78 618B

Fターム (42件)：

3K007AB08 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DA04 , 3K007DB01 , 3K007DB02 , 3K007DB03 , 3K007DC01 , 3K007DC02 , 3K007DC04 , 3K007FA01 , 4F100AB01B , 4F100AB24A , 4F100AK42 , 4F100AK80B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100EH46 , 4F100GB41 , 4F100JG01B , 4F100JN01B , 5F051AA14 , 5F110AA18 , 5F110AA30 , 5F110GG05 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB02 , 5G307FB03 , 5G307FC03 , 5G323BA01 , 5G323BA03 , 5G323BB02 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032EE01 , 5H032EE04 , 5H032EE07 , 5H032EE18 , 5H032EE20 , 5H032HH01

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許第3,664,837号明細書
独国特許第1,938,373号明細書
米国特許第3,600,185号明細書

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審査官引用 (4件)

特開昭62-242391
特開昭62-242384
ポリチオフェン
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-355941 出願人：バイエルアクチェンゲゼルシャフト

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