特許
J-GLOBAL ID：200903022706497780

半導体装置の製造方法

発明者：
天田 春男

天田 春男 について

, 
▲高▼橋 延秋

▲高▼橋 延秋 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068254
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270676
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ割れや欠けを発生させずクリーンな状態で半導体ウエハを薄仕上げ加工し、ダイシングする。【解決手段】 半導体ウエハの半導体素子形成面に耐熱性保護テープを貼付し、耐熱性保護テープ上に熱収縮性保護テープを貼付し、この状態で、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハ裏面研削工程4、半導体ウエハ裏面ウエットエッチング処理工程5で薄仕上げする。熱収縮性保護テープ除去工程6で、温純水で熱収縮性保護テープを熱収縮させて剥離し半導体ウエハの表裏面を温純水洗浄する。半導体ウエハ裏面金被膜形成工程7で、耐熱性保護テープの耐熱温度以下で薄仕上げウエハ裏面に金被膜を形成する。ダイシングテープ貼付工程8で金被膜にダイシングテープを貼付する。耐熱性保護テープ剥離工程9で耐熱性保護テープを強粘着テープで剥離する。ダイシング工程10で半導体チップにダイシングする。
請求項（抜粋）：
第一の主面に半導体素子を含む集積回路が形成された半導体ウエハを製造する前工程と、半導体ウエハの前記第一の主面に各層毎に剥離可能な二層構造以上の保護部材を貼り付ける保護部材貼付工程と、半導体ウエハの前記第一の主面と反対側の第二の主面を処理する裏面処理工程と、少なくとも一層を残した状態で前記保護部材を除去する保護部材除去工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L 21/68 N ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P ,  H01L 29/44 B
Fターム (15件)：
4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  5F031CA02 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39
引用特許：
審査官引用 (2件)

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