特許
J-GLOBAL ID：200903008030758052
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239627
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092778
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 大型のシリコンウエハを使用する際のシリコンウエハの割れや欠けを低減し、シリコンウエハの裏面から良好なオーミックコンタクトを得ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 工程S1,S2で拡散済みのシリコンウエハを研磨し、工程S3でそのシリコンウエハの裏面にAu薄膜を蒸着し、工程S4でそれらに熱処理を施してシリコンウエハの裏面に金シリサイド層を形成する。工程S5でこの金シリサイド層の上にAu薄膜層を蒸着し、工程S6でそのAu薄膜層の上にエポキシ樹脂製の導電性テープを貼り付ける。工程S7で熱処理を行ってシリコンウエハとエポキシ樹脂製の導電性テープとを強固に密着させ、工程S8でダイシングにより各チップを分離し、工程S9で各チップを用いて半導体装置を組立てる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板と、前記シリコン半導体基板の裏面に形成された金属シリサイド層と、前記金属シリサイド層上に形成された金属層と、前記金属層上に貼付されかつ電気伝導性が確保された導電層を含むテープとを組立て工程の前処理において有し、前記導電層を前記シリコン半導体基板から剥がすことなく前記組立て工程を実行するようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/28 301
, H01L 21/68
, H01L 21/301
H01L 21/304 321 H
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/68 M
, H01L 21/78 M
