特許

J-GLOBAL ID：200903022721701580

半導体装置

発明者： 山口 仁 ,  氷見 啓明 ,  岡山 靖 ,  森下 敏之
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330581
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】放熱に優れ、高耐圧・高集積化が可能な半導体装置を提供する。【構成】この半導体装置は、P型Si半導体基板1と、この基板1上に積層される不純物濃度が1×1014cm-3以下のN型Si半導体基板2と、上記基板1,2の積層面の所定位置に部分的に配設される酸化膜3と、上記N型Si半導体基板2に設けられた所定の溝に配設される絶縁膜4とを具備し、上記N型Si半導体基板2による層を上記酸化膜4により上記積層方向に複数の領域に分割し、上記酸化膜3が配設されていない上記基板2の直接接合領域100に高電力素子を形成し、上記絶縁膜3が配設されている上記基板2のSOI領域200に論理素子を形成するものである。

請求項（抜粋）：

第1の導伝型半導体基板と、上記第1の導伝型半導体基板上に積層される不純物濃度が1×1014cm-3以下である第2の導伝型半導体基板と、上記第1及び第2の導伝型半導体基板の積層面の所定位置に部分的に配設される第1の絶縁膜と、上記第2の導伝型半導体基板に設けられる所定の溝に配設される第2の絶縁膜とを具備し、上記第2の導伝型半導体基板を上記第2の絶縁膜により複数の領域に分割し、上記第1の絶縁膜が配設されていない上記第2の導伝型半導体基板の第1の領域に高電力素子を形成し、上記第1の絶縁膜が配設されている上記第2の導伝型半導体基板の第2の領域に論理素子を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 29/78 652 R ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-059853
  
• パワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302678   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭58-164258