特許
J-GLOBAL ID：200903022736911050

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
大田 裕之

大田 裕之 について

, 
畑田 明良

畑田 明良 について

, 
島宗 洋介

島宗 洋介 について

, 
片上 朗

片上 朗 について

, 
田村 直義

田村 直義 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 松倉 秀実 ,  平川 明 ,  高田 大輔 ,  遠山 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-349490
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157924
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】簡易な製造プロセスでCMOS半導体装置に付加する応力を制御し、電気的特性を向上する技術を提供する。【解決手段】第1電界効果トランジスタおよび第2電界効果トランジスタを被覆するとともに第1電界効果トランジスタおよび第2電界効果トランジスタそれぞれの始点領域および終点領域を部分的に露出する開口が設けられた、第1電界効果型トランジスタおよび第2電界効果トランジスタそれぞれの少なくとも始点領域近傍から終点領域近傍に至る領域に応力を付勢するストレッサ膜4が形成され、第1ゲート電極3(3A)の第1絶縁層に略垂直な方向の高さが第2ゲート電極3(3B)の第2絶縁層に略垂直な方向の高さと異なる高さで形成された半導体装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1導電型の第1電界効果型トランジスタと第2導電型の第2電界効果型トランジスタとを備え、 前記第1電界効果型トランジスタは、 第1ゲート電極と、 前記第1ゲート電極下層の第1絶縁層と、 前記第1絶縁層下層の第1導電型の第1導電路を形成するための第2導電型の導電層と、 前記第1導電路となるべき第2導電型の領域の一端に形成され、前記第1導電路の始点となるべき第1導電型の始点領域と、 前記第2導電型の領域の他端に形成され、前記第1導電路の終点となるべき第1導電型の終点領域と、を有し、 前記第2電界効果型トランジスタは、 第2ゲート電極と、 前記第2ゲート電極下層の第2絶縁層と、 前記第2絶縁層下層の第2導電型の第2導電路を形成するための第1導電型の導電層と、 前記第2導電路となるべき第1導電型の領域の一端に形成され、前記第2導電路の始点となるべき第2導電型の始点領域と、 前記第1導電型の領域の他端に形成され、前記第2導電路の終点となるべき第2導電型の終点領域と、を有し、 前記前記第1電界効果トランジスタおよび第2電界効果トランジスタを被覆するとともに第1電界効果トランジスタおよび第2電界効果トランジスタそれぞれの前記始点領域および前記終点領域を部分的に露出する開口が設けられた、前記第1電界効果型トランジスタおよび第2電界効果トランジスタそれぞれの少なくとも前記始点領域近傍から前記終点領域近傍に至る領域に応力を付勢するストレッサ膜が形成され、 前記第1ゲート電極の前記半導体基板に略垂直な方向の高さが前記第2ゲート電極の前記半導体基板に略垂直な方向の高さと異なる高さで形成された半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L27/06 321A ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301N
Fターム (64件)：
5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA05 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BE15 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140BK23 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CF04 ,  5F140DB01 ,  5F140DB04
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM