特許
J-GLOBAL ID：200903022738037919
トレンチゲート型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268461
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076342
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】トレンチゲート型半導体装置において、膜厚がなるべく均一で段差の小さい層間絶縁膜を形成し、段差に起因するソース電極のシート抵抗増大、加工精度の低下、レジストやその他の異物の残留等の問題を解決し、信頼性を向上させる。【解決手段】層間絶縁膜のBPSG中のB2 O3 とP2 O5 の総和の含有率を8〜15mol%の範囲とし、滑らかなリフロー形状を得る。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板の一方の主面の表面層に選択的に形成された第二導電型のベース領域と、そのベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電型のソース領域と、そのソース領域からベース領域を突き抜けて半導体基板に達するトレンチと、そのトレンチ内に薄いゲート酸化膜を介して形成されるゲート電極と、そのゲート電極を覆うように形成される層間絶縁膜と、第二導電型のベース領域および第一導電型のソース領域の表面に共通に接触して設けられるソース電極と、半導体基板の他方の表面に形成されるドレイン電極とを有するトレンチゲート型半導体装置において、層間絶縁膜がほう素燐シリカガラスからなり、そのほう素燐シリカガラスに含まれる酸化ほう素と五酸化燐との和が8〜15mol%の範囲にあることを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78 655
, H01L 21/316
, H01L 29/74
, H01L 21/336
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 655 A
, H01L 21/316 X
, H01L 29/74 X
, H01L 29/78 658 J
5F005AA02
, 5F005AA03
, 5F005AB03
, 5F005AC02
, 5F005AE01
, 5F005AE09
, 5F005AH02
, 5F005BA02
, 5F005BB02
, 5F058BA09
, 5F058BC05
, 5F058BH08
