特許

J-GLOBAL ID：200903022738543750

気相成長結晶薄膜製造装置

発明者： 佐藤 弘信
出願人/特許権者： 佐藤制御株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335922
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】結晶薄膜材料を自由な形で、かつ低コストで形成する製造装置を提供する。【解決手段】結晶薄膜の原料となる超微粒子又は化合物を水又は溶液に溶かしてゾル化した液体2を超音波6を用いて超微粒子又は化合物を含有した霧4を作り、搬送ガス10を用いて高温炉の内部に搬入し、その霧を高温の超微粒子と高温の水又は溶液の霧に分解し、水又は溶液の霧10aを排出しながら高温の超微粒子を基板5上に気相成長させて、結晶薄膜を作る気相成長結晶薄膜製造装置。

請求項（抜粋）：

結晶薄膜の原料となる超微粒子又は化合物を水又は溶液に溶かしてゾル化した液体を超音波を用いて超微粒子又は化合物を含有した霧を作り、搬送ガスを用いて高温炉の内部に搬入し、その霧を高温の超微粒子と高温の水又は溶液の霧に分解し、水又は溶液の霧を排出しながら高温の超微粒子を基板上に気相成長させて、結晶薄膜を作る気相成長結晶薄膜製造装置。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 14/24 T ,  H01L 21/31 B

Fターム (18件)：

4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA47 ,  4K029CA00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045DA62 ,  5F045DA64 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EE02 ,  5F045EE07 ,  5F045EF01 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK06 ,  5F045EK18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-132003
  
• 薄膜形成方法および薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-131736   出願人：三菱電機株式会社
• 特表平3-503067