特許
J-GLOBAL ID：200903022765180600
レジストおよびこれを使った半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191463
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 短波長の放射光に対する吸収が少なく、優れた耐ドライエッチング性を有し、しかも高感度のレジストおよびかかるレジストを使った半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 アダマンチル基を含む化学増幅型レジストに、カルボニル基を有する脂肪族エステルを配合し、構成する。
請求項（抜粋）：
アダマンチル基を含む化学増幅型レジストにおいて、カルボニル基を有する脂肪族エステルを添加したことを特徴とする化学増幅型レジスト。
IPC (5件)：
G03F 7/039 501
, C08F220/16 MMG
, C08K 5/07 KAQ
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
