ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山崎宏 , 前田厚司 , 仲倉幸典
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-502878
公開番号（公開出願番号）：特表2004-528728
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

価電子帯と伝導帯との間に2eVを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

価電子帯と伝導帯との間に2eVを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法であって、上記ダイオードを製造するときに、下記のステップが実行され、 1)上記材料からなる下記の半導体層を、各々の表面にエピタキシャル成長するステップ:nまたはpの第1の導電型によって高くドープされた基体層(1)と、上記第1の導電型によって低くドープされたドリフト層(2)。 2)ダイオードのグリッド部を定義するために、上記ドリフト層の上記基体層から垂直方向に距離をおいた位置に、ドープされたエミッタ層領域(4)を形成するように、第1の導電型と逆であるnまたはpの第2の導電型のドーパントを、上記ドリフト層の横方向に間隔をおいた領域に導入するステップ。 3)金属層を、上記ドリフト層の表面に接触させてショットキ接続を形成し、また、上記エミッタ層領域の少なくとも1つの表面に接触させてコンタクトを形成するステップ。上記ステップ2)は、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、上記ダイオードのグリッド部(4,7)のオン状態抵抗を調節するために実行されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/48 P , H01L21/28 301B

Fターム (4件)：

4M104AA03 , 4M104CC03 , 4M104FF32 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-047494 出願人：株式会社リコー
特開平2-137368
炭化けい素ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132479 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社

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