半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047494
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263716
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】順方向立上り電圧の増加を抑えて逆方向電流を低減し、電力損失の少ない高速応答な整流ダイオードを得る。【構成】高不純物濃度の一導電型半導体領域上に中不純物濃度の一導電型半導体領域を形成した半導体基板と、この中不純物濃度の一導電型半導体領域表面に形成された少なくとも2つの他導電型の半導体領域と、この他導電型の半導体領域を含む半導体基板表面上に形成されたメタルとを有する半導体装置において、互いに隣接する他導電型の半導体領域間に一導電型の低不純物濃度半導体領域を配設することにより、低い逆バイアスにおいてもpn接合およびショットキー接合からの空乏層の広がりが助長され、ショットキー接合界面の電界強度を効果的に緩和することができる。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の一導電型半導体領域上に中不純物濃度の一導電型半導体領域を形成した半導体基板と、前記中不純物濃度の一導電型半導体領域表面に形成された少なくとも2つの他導電型の半導体領域と、前記他導電型の半導体領域を含む前記半導体基板表面上に形成されたメタルとを有する半導体装置において、互いに近接する前記他導電型の半導体領域間に一導電型の低不純物濃度半導体領域を配設したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-086058 出願人：新電元工業株式会社
整流用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-295148 出願人：新電元工業株式会社

前のページに戻る