特許
J-GLOBAL ID：200903022780007965
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314151
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148692
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 非晶質半導体薄膜の含有水素を効率的に除去する。【構成】 薄膜半導体装置の製造において、先ず成膜工程を行ない絶縁基板10上に水素を含有した状態で非晶質シリコン膜15を形成する。次に脱水素工程を行ない、非晶質半導体薄膜15に第一種の光エネルギーhνを照射して含有水素を離脱させ、所謂水素抜きを実施する。次に多結晶化工程を行ない、非晶質シリコン薄膜15に第二種の光エネルギーhνを照射して多結晶シリコン薄膜17に転換する。この光アニール処理の後、多結晶シリコン薄膜17を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に水素を含有した状態で非晶質半導体薄膜を形成する成膜工程と、該非晶質半導体薄膜に第一種の光エネルギーを照射して含有水素を離脱させる脱水素工程と、該非晶質半導体薄膜に第二種の光エネルギーを照射して多結晶半導体薄膜に転換する多結晶化工程と、該多結晶半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
