特許

J-GLOBAL ID：200903022784573582

高伝導度を有するジルコニア系固体電解質およびその製造方法

発明者： 森 利之
出願人/特許権者： 文部科学省無機材質研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158664
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 ジルコニア系固体電解質の製造法において、アルミナをスカベンジャーに用いる方法では、粒界の抵抗は低減するが、同時に僅かにアルミナがZrO2 粒内に固溶するため、粒内抵抗が増加し、全体の導電率はあまり向上せず、未だ実用化には至っていない。【解決手段】 組成がMx Zr1-x O2 (0.04≦x≦0.30、MはY,Sc,Ca,またはこれらから選ばれた2種類以上の組み合わせからなる元素)であるジルコニア系酸化物において、5モル%以下のジルコン(ZrSiO4 )またはジルコン前駆体を含有することを特徴とするジルコニア系固体電解質。原料のジルコニア系酸化物中に不純物として含まれるシリカをZrSiO4 またはZrSiO4 前駆体とした後、1450°C以上1750°C以下の温度で焼結するか、原料のジルコニア系酸化物に5モル%以下のZrSiO4 を加えるか、または5モル% 以下のZrSiO4 組成となるようにZrO2 とSiO2 を加えた後、1450°C以上1750°C以下の温度で焼結することによりジルコニア系固体電解質を製造する。

請求項（抜粋）：

組成がMx Zr1-x O2 (0.04≦x≦0.30、MはY,Sc,Ca,またはこれらから選ばれた2種類以上の組み合わせからなる元素)であるジルコニア系酸化物において、5モル%以下のジルコン(ZrSiO4)またはジルコン前駆体を含有することを特徴とするジルコニア系固体電解質。

IPC (3件)：

C04B 35/48 ,  H01B 1/06 ,  H01M 8/02

FI (3件)：

C04B 35/48 B ,  H01B 1/06 A ,  H01M 8/02 K

Fターム (20件)：

4G031AA04 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031BA03 ,  4G031BA07 ,  4G031GA11 ,  4G031GA12 ,  5G301CA02 ,  5G301CA26 ,  5G301CA28 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026EE13 ,  5H026HH08 ,  5H026HH10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高導電性固体電解質膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-299488   出願人：東陶機器株式会社