特許
J-GLOBAL ID：200903022787069710

光電気セルおよびその製造方法

発明者：
小柳 嗣雄

小柳 嗣雄 について

, 
水野 隆喜

水野 隆喜 について


出願人/特許権者：
日揮触媒化成株式会社

日揮触媒化成株式会社 について


代理人 (3件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047939
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210713
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】電子の逆流(暗電流あるいはバックカレントという)、電子の再結合、電極間の接着による短絡などが抑制された、高い光電変換効率を有する光電気セルを提供する。【解決手段】 表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質金属酸化物半導体膜(1)が形成されてなる基板(1)と、表面に電極層(2)を有する基板(2)とが、前記電極層(1)および電極層(2)が対向するように配置してなり、 多孔質金属酸化物半導体膜(1)と電極層(2)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、 電極層(1)と多孔質金属酸化物半導体膜(1)との間にペルオキソチタン酸に由来する酸化チタン薄膜(1)を設けてなり、かつ多孔質金属酸化物半導体膜(1)が金属酸化物のみからなることを特徴とする光電気セル。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した多孔質金属酸化物半導体膜(1)が形成されてなる基板(1)と、表面に電極層(2)を有する基板(2)とが、前記電極層(1)および電極層(2)が対向するように配置してなり、 多孔質金属酸化物半導体膜(1)と電極層(2)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、 電極層(1)と多孔質金属酸化物半導体膜(1)との間にペルオキソチタン酸に由来する酸化チタン薄膜(1)を設けてなり、かつ多孔質金属酸化物半導体膜(1)が金属酸化物のみからなることを特徴とする光電気セル。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (25件)：
5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB25 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS01 ,  5H032AS06 ,  5H032AS10 ,  5H032AS12 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE11 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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