窒化硅素単結晶膜および製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-227296
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：

【要約】【課題】窒化硅素単結晶膜の合成方法を提案する。【解決手段】シリコン単結晶基板上に、α型またはβ型結晶の窒化硅素単結晶膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

α型結晶またはβ型結晶である窒化硅素単結晶膜がシリコン単結晶基板上に形成されてなることを特徴とする窒化硅素単結晶膜。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C30B 29/06 , H01L 21/203 , H01L 21/31 , H01L 21/318

FI (5件)：

C30B 29/38 B , C30B 29/06 C , H01L 21/203 Z , H01L 21/31 C , H01L 21/318 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

審査官引用 (1件)

前のページに戻る