特許
J-GLOBAL ID:200903042773869863

窒化炭素単結晶膜被覆部材及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-352568
公開番号(公開出願番号):特開平9-184062
出願日: 1995年12月29日
公開日(公表日): 1997年07月15日
要約:
【要約】【課題】 新規物質である窒化炭素は多結晶のものしか得られていない。単結晶のC3 N4 薄膜を合成する方法を提供する事が目的である。【解決手段】 単結晶基板の上に、Si3 N4 の単結晶薄膜を製作する。その上にC3 N4 薄膜を合成する。Si3 N4 の作用によってC3 N4 単結晶薄膜を作製できる。またα型とβ型のC3 N4 を区別して自在に作製できる。
請求項(抜粋):
単結晶基板上に中間層として窒化珪素単結晶膜が形成され、前記窒化珪素単結晶膜上に窒化炭素単結晶膜が形成された構造を持つ事を特徴とする窒化炭素単結晶膜被覆部材。
IPC (3件):
C23C 14/06 ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/38
FI (3件):
C23C 14/06 A ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/38 B
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る