特許

J-GLOBAL ID：200903022826113226

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 清利 正弘 ,  川崎 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340794
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156471
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 素子分離溝内が多層の絶縁膜で埋め込まれてなる素子分離を用いた場合における素子特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置は、表面に素子分離溝105が設けられた半導体基板101と、該素子分離溝105内に設けられ、ポリシラザン膜106と、該ポリシラザン膜106上に設けられたシリコン酸化膜108とを含む素子分離絶縁膜と、素子分離溝105と前記素子分離絶縁膜との間に設けられ、ポリシラザン膜106とシリコン熱酸化膜108との境界部に対応した素子分離溝105の側面上の部分が、前記側面上の他の部分よりも厚い酸化膜107とを具備している。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

表面に素子分離溝が設けられた半導体基板と、 前記素子分離溝内に設けられ、塗布膜と、該塗布膜上に設けられたシリコン酸化膜とを含む素子分離絶縁膜と、 前記素子分離溝と前記素子分離絶縁膜との間に設けられ、前記塗布膜と前記シリコン酸化膜との境界部に対応した前記素子分離溝の側面上の部分が、前記側面上の他の部分よりも厚い酸化膜と を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/76

FI (1件)：

H01L21/76 L

Fターム (14件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA54 ,  5F032AA70 ,  5F032BA02 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA10 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA32 ,  5F032DA33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トレンチ素子分離膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-359530   出願人：三星電子株式会社