特許
J-GLOBAL ID：200903086149506036
トレンチ素子分離膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203895
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ素子分離膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明よるトレンチ素子分離膜の形成方法は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第1埋立酸化膜でトレンチを充填する段階と、第1埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、トレンチのライナの上部を露出する段階と、ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第2埋立酸化膜でトレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含む。本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。
請求項（抜粋）：
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第1埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、前記第1埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第2埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
Fターム (13件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA46
, 5F032AA49
, 5F032AA70
, 5F032CA17
, 5F032DA02
, 5F032DA03
, 5F032DA25
, 5F032DA26
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA78
