高周波集積回路およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井出直孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145577
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【目的】数十GHzの周波数帯で利用するマイクロ波集積回路を提供する。【構成】セラミック基板に焼成前の状態で孔あけし、その孔に磁性体部品および誘電体部品を嵌め込み、磁性体部品の焼成温度以下で焼成する。特に磁性体部品としてハードフェライトを使用して、焼成後に着磁することにより、きわめて小形の特性のよい高周波回路が得られる。

請求項（抜粋）：

誘電体基板に複数の孔が設けられ、この孔にそれぞれ回路部品が埋め込まれ、その誘電体基板の表面に導体が形成されたことを特徴とする高周波集積回路。

IPC (5件)：

H05K 1/18 , H01P 1/387 , H01P 11/00 , H04B 1/38 , H05K 3/00

FI (5件)：

H05K 1/18 P , H01P 1/387 , H01P 11/00 F , H04B 1/38 , H05K 3/00 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

誘電体フィルタ部品、その製造方法及び誘電体フィルタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225097 出願人：富士電気化学株式会社
特開昭64-077301
モノリシック共振回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-118877 出願人：日本電気株式会社

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