電子写真方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-022978
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223021
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】画像形成サイクルを繰り返し行うことで感光体の膜厚が減少して暗電位が低下し、コントラスト電位が確保できなくなることで画像濃度が低下した場合、サービスマンが画像濃度を見ながら表面電位を徐々に上げていき、適正な電位に再設定するという面倒な作業を行っていた。【解決手段】所定の材料を用いる有機単層感光体を使用することで、初期状態においても繰り返し使用した後であっても、暗電位と明電位が直線関係を示す為に、容易に設定電位を補正し、再設定することができた。

請求項（抜粋）：

感光体表面を均一に主帯電し、帯電された該感光体表面に画像情報に基づいて光照射を行なって静電潜像を形成し、この静電潜像を、一定の現像バイアス電圧を印加しながら現像することにより画像形成を行う電子写真方法において、上記感光体が、少なくともX型メタルフリーフタロシアニン、Y型チタニルフタロシアニン、α型チタニルフタロシアニン、V型ヒドロキシガリウムフタロシアニンの各フタロシアニン顔料から選択される電荷発生材料と正孔輸送剤、電子輸送剤を含有する有機感光体であり、予め、主帯電後の上記感光体表面の暗電位と明電位との差に相当するコントラスト電位(Vc=Vo-Vr)を設定しておき、次いで、一定状態の前記感光体について、その表面を、異なる2つの主帯電電位に帯電させ、それぞれについて暗電位と明電位とを測定し、該測定結果に基づいて、下記式:Vr=α・Vo+β (1)式中、Voは、暗電位(V)を示し、Vrは、明電位(V)を示し、α及びβは、それぞれ定数を示す、からα及びβを算出し、前記算出結果から画定される式(1)のVo-Vr直線と前記コントラスト電位(Vc)とから、上記コントラスト電位(Vc)を示す暗電位を算出し、このような暗電位が得られるように、主帯電条件を変更する電位設定の補正方法。

IPC (9件)：

G03G 15/00 303 , G03G 5/05 101 , G03G 5/06 312 , G03G 5/06 313 , G03G 5/06 314 , G03G 5/06 315 , G03G 5/06 319 , G03G 5/06 372 , G03G 15/02 102

FI (9件)：

G03G 15/00 303 , G03G 5/05 101 , G03G 5/06 312 , G03G 5/06 313 , G03G 5/06 314 A , G03G 5/06 315 D , G03G 5/06 319 , G03G 5/06 372 , G03G 15/02 102

Fターム (35件)：

2H027DA02 , 2H027DE05 , 2H027DE10 , 2H027EA01 , 2H027EC14 , 2H027EC18 , 2H068AA19 , 2H068AA20 , 2H068AA31 , 2H068BA12 , 2H068BA13 , 2H068BA14 , 2H068BA16 , 2H068BA38 , 2H068BA39 , 2H068BA63 , 2H068BA64 , 2H068BB26 , 2H068FA02 , 2H068FC02 , 2H200FA02 , 2H200FA18 , 2H200GA16 , 2H200GA23 , 2H200GA35 , 2H200GA45 , 2H200GA46 , 2H200GB12 , 2H200GB15 , 2H200HA12 , 2H200HA29 , 2H200HA30 , 2H200HB28 , 2H200PA02 , 2H200PB04

引用特許：

審査官引用 (3件)

画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-202164 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平3-171054
チタニルフタロシアニン結晶とその製造方法、および電子写真感光体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270416 出願人：京セラミタ株式会社

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