特許
J-GLOBAL ID：200903022844483880
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331282
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162758
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【構成】 感光性ポリイミドを塗布して全体に層間絶縁膜7を形成した後、層間絶縁膜7を形成されたアルミナ基板1をオゾン処理装置に入れ、層間絶縁膜7の表面をオゾン処理することによって粗化する。この後、層間絶縁膜7の全面に無電解銅メッキ膜8を形成し、無電解銅メッキ膜8の上にパターニングしたレジストパターン9の開口9aを通して無電解銅メッキ膜8の上に銅電極10を形成する。ついで、レジストパターン9と無電解銅メッキ膜8の露出部分を除去し、無電解銅メッキ膜8と銅電極10とからなる金属電極層11を形成する。【効果】 ポリイミドを電極下地層として用いた配線基板において、電極下地層と金属電極層との接着強度を高め、金属電極層の剥離を防止する。
請求項（抜粋）：
ポリイミドを電極下地層として用いた配線基板の製造方法において、ポリイミドにより前記電極下地層を形成した後、該電極下地層をオゾンにより表面処理し、ついで表面処理された電極下地層上に金属電極層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/38
, H05K 1/03 610
, H05K 3/18
, H05K 3/24
