半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128073
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277908
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】トランジスタのチャネルに応力を与えるストレスライナーとして機能するシリコン窒化膜を形成した場合に、クラックの発生を抑えることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に形成されたnチャネル型トランジスタ20を覆い、nチャネル型トランジスタ20のチャネルに対してチャネル長方向の引張応力を作用させるシリコン窒化膜11、12を形成する半導体装置の製造方法であって、nチャネル型トランジスタ20の上に一層目のシリコン窒化膜11を形成する工程と、一層目のシリコン窒化膜11に紫外線を照射する工程と、紫外線照射の後、一層目のシリコン窒化膜11の上に一層目のシリコン窒化膜11よりも薄いシリコン窒化膜12を少なくとも一層以上形成する工程とを備え、引張応力を作用させるシリコン窒化膜を複数段階に分けて形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたnチャネル型トランジスタを覆い、前記nチャネル型トランジスタのチャネルに対してチャネル長方向の引張応力を作用させるシリコン窒化膜を形成する半導体装置の製造方法であって、 (A)前記nチャネル型トランジスタの上に、一層目のシリコン窒化膜を形成する工程と、 (B)前記一層目のシリコン窒化膜に紫外線を照射する工程と、 (C)前記紫外線照射の後、前記一層目のシリコン窒化膜の上に、前記一層目のシリコン窒化膜よりも薄いシリコン窒化膜を少なくとも一層以上形成する工程と、を備え、前記引張応力を作用させるシリコン窒化膜を複数段階に分けて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L29/78 301N , H01L21/283 B , H01L21/90 C

Fターム (43件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104EE05 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033MM07 , 5F033QQ00 , 5F033QQ54 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR20 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033XX17 , 5F033XX19 , 5F140AA00 , 5F140AA05 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC13 , 5F140CC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-045629 出願人：ソニー株式会社

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