特許
J-GLOBAL ID：200903022850959888
積層型半導体装置の製造方法、及び積層型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023747
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217384
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 積層すべき半導体チップのサイズの制約が少なく、多段構成が容易な積層型半導体装置の製造方法、及び積層型半導体装置を提供する。【解決手段】?@半導体チップ31〜34を複数段積み重ねて積層型半導体装置を形成する積層型半導体装置の製造方法であって、内部中空の収納基板1中に複数の半導体チップを積み重ねるとともに、基板の中空2は、底面側から順次、半導体チップ配設空間21〜24が広くなっており、かつ該基板1はあらかじめ一体的に形成されている。?A半導体チップ31〜34が複数段積み重ねられて形成された積層型半導体装置で、複数の半導体チップが内部中空の収納基板1中に積み重ねられて形成され、基板の中空2は、底面側から順次、半導体チップ配設空間21〜24が広くなっており、該基板は一体的に形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体チップを複数段積み重ねて積層型半導体装置を形成する積層型半導体装置の製造方法であって、内部中空の収納基板中に複数の半導体チップを積み重ねるとともに、前記基板の中空は、底面側から順次、半導体チップ配設空間が広くなっており、かつ該基板はあらかじめ一体的に形成されていることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
