特許

J-GLOBAL ID：200903022880541624

半導体ウエハの両面研磨方法

発明者： 佐藤 勉
出願人/特許権者： 直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027013
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233462
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 精度的に優位な両面研磨方法を採用するにあたり、サンドブラスト処理面の加工歪みを残存させる。【解決手段】 スラリー保持力に差があって研磨速度が相違する研磨布1,2を使用し、ウエハWの加工歪み層を有する面W1と対向して、研磨速度の極端に小さい研磨布1を使用すると共に、その反対側の研磨面W2と対向して、研磨速度の大きい研磨布2を使用して両面同時に研磨することにより、ウエハWの加工歪み層を有する面W1が反対側の研磨面W2に比べ研磨量が極めて僅少となる。

請求項（抜粋）：

研磨布(1,2)が夫々貼り付けられた上下一対の定盤(UT,LT)間にシリコン半導体ウエハ(W)を挟圧し、スラリーを供給しながら相対的に移動させて両面同時に研磨する方法において、前記定盤(UT,LT)に貼り付ける研磨布(1,2)素材の材質及び形状を、同時又は各々独立して上下定盤(UT,LT)で異なるものとし、その研磨布(1,2)に当接するウエハ(W)両面(W1,W2)側からの研磨速度を相違させて研磨することを特徴とするシリコン半導体ウエハの両面研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 621 A ,  B24B 37/00 K ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-009571
  
• 半導体ウェハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198981   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 特開昭60-197367