特許
J-GLOBAL ID：200903022881378743
半導体スイッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
板垣 孝夫
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002533
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197481
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 シャントFETおよびスルーFETを配置したスイッチ回路を有する半導体装置において、シャントFETのドレイン電位の変動による信号の歪を抑制する。 【解決手段】 スルーFETを想定したMESFET61のゲート-ドレイン間距離より、シャントFETを想定したMESFET62のゲート-ドレイン間距離の方が長くなるようにゲート電極63およびソース電極65およびドレイン電極64を形成することで、スルーFETを想定したMESFET61のゲート耐圧は変化させずにシャントFETを想定したMESFET62のゲート耐圧を高くすることができる。これにより、挿入損失に影響することなく信号の歪を抑制することが可能となる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
入力端子と、
出力端子と、
ソース電極またはドレイン電極の一方が前記入力端子側に接続され他方が前記出力端子側に接続される第一のFETと、
ソース電極またはドレイン電極の一方が前記出力端子側に接続され他方が接地された第二のFETと
を有し、前記第二のFETのゲート電極とドレイン電極間の距離が前記第一のFETのゲート電極とドレイン電極間の距離よりも長いことを特徴とする半導体スイッチ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F102FA01
, 5F102GA01
, 5F102GA17
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GR04
, 5F102GR12
, 5F102GS04
, 5F102GV05
