特許

J-GLOBAL ID：200903022890185702

半導体ウェハ研削用砥石、半導体ウェハ研削装置および半導体装置の製造方法

発明者： 成瀬 光洋
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-101365
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253143
出願日： 2008年04月09日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】中央部が外周端部よりも薄い半導体ウェハにおけるデバイスの形成領域を広げること。【解決手段】半導体ウェハ1をチャックステージ300に保持させて回転させる。そして、側面の底端部に突起部を有し、突起部を含む底面が平坦であり、かつ突起部を含む底面の径が、半導体ウェハ1の中央部2に形成する凹部の径と同じかそれよりも小さい径の第1砥石100を、リブ部3に接触させないように、降下させる。第1砥石100を例えば矢印D1で示すような時計回り方向に自転させながら、例えば矢印D3で示すような時計回り方向に公転させて中央部2に押し付け、徐々に公転の回転の径を大きくして、中央部2とリブ部3との境界部分を研削する。このようにして、中央部2からリブ部3の側面より外に向かって平坦な面を延ばす。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

側面の底端部に突起部を有し、前記突起部を含む底面が平坦であり、かつ当該突起部を含む底面の径が、半導体ウェハの中央部に形成される凹部の径と同じかそれよりも小さい径であることを特徴とする半導体ウェハ研削用砥石。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 7/04

FI (3件)：

H01L21/304 622F ,  H01L21/304 631 ,  B24B7/04 B

Fターム (3件)：

3C043BA03 ,  3C043BA09 ,  3C043BA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ウエーハの加工方法および研削装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-290114   出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-219137
  
• 特開昭59-219137