半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050833
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】微細化に適した、かつ簡便な構造工程で製造しても、高い静電保護耐量をうること。【解決手段】保護用のNMOSFETにおいて、入出力端子に接続されるメタル配線(101)は、高融点金属を含む材料で形成された埋め込み型の第1のコンタクト(104)で高融点金属シリサイド層(110)に接続され、これは、2個以上の第2のコンタクト(105)によってドレイン拡散層(107)に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、不純物拡散層と、第一の絶縁膜上に形成された多結晶シリコン層あるいは、高融点金属シリサイド層あるいは、これらの2重層による第一の配線層と、該第一の配線層上の第二の絶縁膜上に形成された第二の配線層を有する半導体装置において、前記不純物拡散層と、前記第一の配線層との間は、前記第一の絶縁膜に設けられた少なくとも2個の第一のコンタクト開口部によって接続され、前記第一の配線層と前記第二の配線層との間は、少なくとも前記第一の配線層上、前記2個の第一のコンタクト開口部の中間に前記第二の絶縁膜に設けられた第二のコンタクト開口部によって接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 301 R , H01L 27/04 H , H01L 27/08 102 F , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-248567
入力保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-351704 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-248445

前のページに戻る