特許

J-GLOBAL ID：200903022906237090

半導体装置

発明者： 関谷 洋紀 ,  平本 裕行 ,  清水 敏夫 ,  大部 利春 ,  田多 伸光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087735
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】優れた電気特性と熱特性、および高い信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子111が配置されているマウント用導電体19と、放熱体13(または冷却器15)との間を、基材の初期厚さに対して80%以下の厚さに加圧成形したシート状放熱絶縁体17により接続する。これにより、シート状放熱絶縁体17においては熱伝導率3W・m/K以上、かつ絶縁破壊強度30kV/mm以上をともに両立し得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が配置されるマウント手段と、 前記半導体素子の熱を前記マウント手段から放熱するための放熱手段と、 前記マウント手段と放熱手段を接続し、基材の初期厚さに対して80%以下の厚さに加圧成形されているシート状放熱絶縁手段と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L23/36 D ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 M

Fターム (3件)：

5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F036BD21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 放熱基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-174130   出願人：松下電器産業株式会社
• 熱伝導基板およびそれを用いた半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-277061   出願人：松下電器産業株式会社