不揮発性半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149528
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343700
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】フラッシュEEPROMの消去動作時の酸化膜劣化の防止し、また消費電流の低減する。【構成】コントロールゲート電極1、基板7を各々GNDレベル、ソース領域3を高電圧レベル、ドレイン領域4、基板6をオープンレベル、基板5を高電圧レベルとすることで、フローティングゲート電極2とソース領域3間にトンネル電流を発生させ、フローティングゲート電極2からソース領域3に電子を放出することで消去を行う。ソース領域3、基板5間の電位差をソース領域、基板間にバンド間トンネリングが発生しないレベルまで小さくなるように設定している。【効果】繰り返し書き込み特性の向上、および5V単一電源動作化を可能とする。また、負の電位を必要としないことから、繁雑な回路が不要となる。また、ソース領域部の耐圧を確保するための構造が不要となりプロセス工程が簡略になる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート電極とコントロールゲート電極を備え、該フローティングゲート電極へ電子を注入する書き込み動作をドレイン領域端部で発生するホットエレクトロンで行うと共に、該フローティングゲート電極から電子を放出する消去動作をソース領域のトンネルで行うメモリートランジスタを含んで成る不揮発性半導体装置において、データの消去動作時に、該メモリートランジスタを含む基板電位を正の電位に上げる手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/413 , G11C 11/406 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (5件)：

H01L 29/78 371 , G11C 11/34 341 , G11C 11/34 363 , G11C 17/00 309 C , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-245560
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023936 出願人：富士通株式会社

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