特許

J-GLOBAL ID：200903022932488050

半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 中川 隆史
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-377474
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207628
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】残留分極値を低下させることなくリーク電流が抑えられた強誘電体容量素子を有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一般式ABO3で表され、A格子を占めるA元素として鉛(Pb)を含有し、B格子を占めるB元素としてジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含有するペロブスカイト型結晶構造を有する強誘電体層と、該強誘電体層を挟んで配置された下部電極および上部電極とを有する容量素子を有する半導体記憶装置において、前記強誘電体層のZr/Ti比を、下部電極側および上部電極側のいずれの領域においても当該強誘電体層の厚さ方向の中央部のZr/Ti比と同等以上にし、下部電極側および上部電極側の少なくとも一方の領域のZr/Ti比を前記中央部のZr/Ti比より大きくする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一般式ABO3で表され、A格子を占めるA元素として鉛(Pb)を含有し、B格子を占めるB元素としてジルコニウム(Zr)及びチタン(Ti)を含有するペロブスカイト型結晶構造を有する強誘電体層と、該強誘電体層を挟んで配置された下部電極および上部電極とを有する容量素子を有する半導体記憶装置において、 前記強誘電体層は、Tiに対するZrの比率(Zr/Ti比)が前記下部電極側および上部電極側のいずれにおいても当該強誘電体層の厚さ方向の中央部のZr/Ti比と同等以上である領域を有し、前記下部電極側および上部電極側の少なくとも一方の領域のZr/Ti比が前記中央部のZr/Ti比より大きいことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L27/10 444C ,  H01L21/316 X

Fターム (15件)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-171976
  
• 金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219184   出願人：日本電気株式会社