金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-219184
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058525
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、配向性、結晶性ともに優れた金属酸化物をプラグ上に低温で形成することを可能にする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法を提供することを目的とし、さらに、この気相成長方法を用いて微細化され、高集積化され、多層メタル化された長寿命の電子デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明による気相成長方法は、従来のような導電性材料上に同一の条件で成膜を行う成長方法に対して、電極上にペロブスカイト型結晶構造の初期核形成もしくは初期層形成を行う第一の成膜条件と、その後に、形成された初期核上にペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う第二の成膜条件とで成膜条件を変え、それぞれ最適な条件を選んで成膜する。

請求項（抜粋）：

導電性材料上への有機金属材料ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、第一の成膜条件で、金属酸化物誘電体の原料となる有機金属材料ガスのすべてを用いて、前記導電性材料上にペロブスカイト型結晶構造の初期核形成を行い、第二の成膜条件で、この初期核上にさらにペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40

FI (2件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/40

Fターム (39件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF14 , 5F045BB07 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CB05 , 5F045CB10 , 5F045DA61 , 5F045DP04 , 5F045EB08 , 5F045EC09 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EG02 , 5F045EG03 , 5F045EG04 , 5F045EG08 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (10件)

強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168119 出願人：シャープ株式会社
CVD薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330674 出願人：大阪瓦斯株式会社
薄膜キャパシタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028929 出願人：株式会社日立製作所

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